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2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Output Characteristics
1.0
V GS = 10, 9, 8, 7 V
6.5 V
1.0
Transfer Characteristics
0.8
6V
0.8
T J = – 55 _ C
0.6
5.5 V
5V
0.6
25 _ C
125 _ C
0.4
0.2
4.5 V
4V
3.5 V
3V
2.5 V
0.4
0.2
0.0
2, 1 V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
7
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Drain Current
60
V GS – Gate-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 0 V
6
50
f = 1 MHz
r DS @ 5 V = V GS
5
40
4
30
3
2
r DS @ 10 V = V GS
20
C iss
C oss
1
0
10
0
C rss
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
I D – Drain Current (A)
V DS – Drain-to-Source Voltage (V)
20
Gate Charge
2.0
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.5 A
16
12
8
4
V DS = 30 V
1.5
1.0
0.5
V GS = 10 V, r DS @ 0.5 A
V GS = 5 V, r DS @ 0.05 A
0
0.0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
– 55
– 30
– 5
20
45
70
95
120
145
www.vishay.com
11-4
Q g – Total Gate Charge (pC)
T J – Junction Temperature ( _ C)
Document Number: 70226
S-04279 — Rev. F, 16-Jul-01
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